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27A/800V高压MOSFET应用参数

作者:海飞乐技术 时间:2019-11-08 17:14

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 27A/800V高压MOSFET参数 
  MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但常用的是增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。关于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,普遍都用NMOS。
  海飞乐27N80A47,硅N沟道27A/800V增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-247,符合RoHS标准。
 
27N80A47
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
27N80A47应用:
电源开关电路
 
27A/800V高压MOSFET绝对值参数
27A/800V高压MOSFET绝对值参数 
 
27A/800V高压MOSFET电特性
27A/800V高压MOSFET电特性 
 
MOSFET的防静电使用技巧
  一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET的栅极-源极间最大额定电压约为±20V,如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOSFET,主要是因为MOSFET输入阻抗大特点,电荷不能及时的流走,积聚在门极(G),就会造成Vgs大于这个±20V的范围,这时候MOSFET就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET的引脚的原因,手上的静电高达千伏,MOSFET一下子就被击穿了。
  记住,不要用手拿住MOSFET的腿,不然可很不专业。为了防止MOSFET被静电破坏,大家也是费尽脑汁,除了严格按照规章制度外,带上放电手套,电烙铁接地等等都是必要的。
  静电问题往往是MOSFET的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET呢?既然Vgs不能大于20V,那我们就可以在G和S之间,加一个20V的稳压管,来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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