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超结场效应管COOLMOS参数选型

作者:海飞乐技术 时间:2019-10-25 17:44

网上赌场软件 www.hntcysy.com   COOL MOS 也叫超结场效应管SJ-MOS(super junction mosfet)。 一种基于电子科技大学陈星弼院士发明专利,打破传统功率MOSFET理论极限,被国际上盛誉为功率MOSFET领域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年问世并很快走向市场。Cool-MOS由于采用新的耐压层结构,在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时,又有着极低的导通损耗。
 
海飞乐技术超结场效应管COOLMOS参数选型表

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海飞乐技术COOLMOS的主要优点:
1. 通态阻抗小,通态损耗小。   
  由于Cool-MOS的Rdson远远低于VDMOS,在系统电源类产品中Cool-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗,提高了系统产品的效率,Cool-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上,优势表现的尤为突出。
 
2. 同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高。   
  首先,同等电流以及电压规格条件下,Cool-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积,这样作为MOS的厂家,对于同一规格的产品,可以封装出来体积相对较小的产品,有利于电源系统功率密度的提高。
  其次,由于Cool-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗,因为这些损耗都是以热量的形式散发出去,我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升,使其保证在合适的温度范围内。由于Cool-MOS可以有效的减少发热量,减小了散热器的体积,对于一些功率稍低的电源,甚至使用Cool-MOS后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。
 
3. 栅电荷小,对电路的驱动能力要求降低。   
  传统VDMOS的栅电荷相对较大,我们在实际应用中经?;嵊龅接捎贗C的驱动能力不足造成的温升问题,部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力,确保MOSFET的快速导通,我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路,从而增加了电路的复杂性。Cool-MOS的栅电容相对比较小,这样就可以降低其对驱动能力的要求,提高了系统产品的可靠性。
 
4. 节电容小,开关速度加快,开关损耗小。   
  由于Cool-MOS结构的改变,其输出的节电容也有较大的降低,从而降低了其导通及关断过程中的损耗。 同时由于Cool-MOS栅电容也有了响应的减小,电容充电时间变短,大大的提高了Cool-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说,可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上,效果更加明显。
 
 
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